典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程? 发布时间:2019-11-17 08:06 │ 来源:www.tikuol.com 题型:问答题 简答题 问题: 典型的GaAsMESFET结构IC的工艺流程?
题型:问答题 简答题 设反应①Fe(S)+CO2(g)FeO(S)+CO(g)的平衡常数为。反应②Fe(S)+H2O(g)FeO(S)+H2(g)的平衡常数为,在不同温度下,、的值如下:温度1.472.3811732.151.67 (1)从上表可以推断:反应①是_______________ (填“吸”、“放”)热反应。(2)现有反应③H2(g)+CO2(g)H2O(g)+CO(g)写出该反应的平衡常数K3的数学表达式:K=____________。(3)根据反应①与②,可推导出K、K与K之间的关系式_______________。据此关系式及上表数据,也能推断出反应③是“吸热”还是“放热”反应。问:要使反应③在一定条件下建立的平衡向正反应方向移动,可采取的措施有_____________(填写序号)。A.缩小反应容器容积B.扩大反应容器容积C.降低温度D.升高温度 E.使用合适的催化剂 F.设法减少CO的量(4)图l、2表示该反应③在时刻t达到平衡、在时刻t分别因改变某个条件而发生变化的情况:①图l中时刻t发生改变的条件是_____________________________②图2中时刻t发生改变的条件是________________ 查看答案
题型:问答题 简答题 离合器分离轴承前端与膜片弹簧小端(或分离杠杆内端)之间的间隙是为了()。A.实现离合器踏板的自由行程B.减轻从动盘磨损C.保证摩擦片正常磨损后离合器不失效D.防止热膨胀失效 查看答案