半导体芯片制造中级工题库
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刷题
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去
在半导体集成电路中，各元器件都是制作在同一晶片内。因此要使它们起着预定的作用而不互相
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）
设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理，可直接进入净化区。（）
光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负
半导体芯片制造工艺对水质的要求一般.（）
离子源是产生离子的装置。（）
液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。（）
抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距
点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它们构成的复合体。（）
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆
