半导体物理学(乙)A卷真题2007年
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半导体物理学(乙)A卷真题2007年
刷题
试推导本征载流子浓度的表达式：
少子寿命
证明室温下有受主补偿的n型半导体的电导率满足下述关系：(式中ni为本征载流子浓度，是
齐纳击穿
反型异质结
p-n结
简述塞贝克效应；
简述半导体的光生伏特效应；
简述能带论；
简述电导率与掺杂浓度及温度的关系。
用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为gp，空穴寿命为τ。
简述半导体的压阻效应。
本征半导体
俄歇复合
简并半导体
