半导体物理
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半导体物理
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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。 A.锗 B.磷 C.硼 D.锡
如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁
对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。 A.Ec
半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进
（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心
反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓
半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂
从能带角度来看，锗、硅属于（）半导体，而砷化稼属于（）半导体，后者有利于光子的吸收和
半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合
通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。
两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能
间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。 A.上移 B
