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下列是晶体的是（）。 A.玻璃 B.硅 C.松香 D.塑料
只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是（）。 A.线缺陷 B.面缺陷 C
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。 A.非平衡载流子
在通常情况下，GaN呈（）型结构。 A.纤锌矿型； B.闪锌矿型； C.六方对称性；
如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。 A.施主 B.受主
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动
如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A、比半导体的大 B、比半
表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A、施主态B、受主态C、电中性
最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子
载流子的扩散运动产生扩散电流，漂移运动产生（）电流。A、漂移 B、隧道 C、扩散
把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。 A.改变禁带宽
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>
一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，
影响单晶内杂质数量及分布的主要因素是（）①原材料中杂质的种类和含量；②杂质的分凝效应
