单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。 发布时间:2020-01-16 14:36 │ 来源:www.tikuol.com 题型:单项选择题 问题: 单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A.氮化硅B.二氧化硅C.光刻胶D.多晶硅
题型:单项选择题 两个已知作物品种P1和P2作为亲本进行杂交,测得后代的抽穗期年平均值及方差如下表: (1)不考虑互作遗传方差。请你写出关系式、计算抽穗期的广义遗传力和狭义遗传力。 (2)在可遗传的部分,有多大比例是可以稳定遗传的抽穗期遗传的平均显性程度是多大 世代 抽穗期平均值 方差值 P1 45.47 38.57 P2 96.64 36.12 F1 64.58 18.41 F2(F1×F1后代) 74.20 141.23 B1(F1×P1后代) 54.60 60.73 B1(F1×P2后代) 81.90 120.02 查看答案