在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相

题型:单项选择题

问题:

在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体

A.栅氧化层

B.沟槽

C.势垒

D.场氧化层

考点:集成电路制造工艺员集成电路制造工艺员(三级)集成电路制造工艺员(三级)题库
题型:单项选择题

椎间盘及韧带病变,好发部位为第3~5颈椎、第4~7胸椎。主要表现为与后纵韧带走行一致的紧贴椎体后缘的带状骨化影,可以连续,也可以呈节段状,厚度可达1~5mm,可合并椎间盘病变和椎体滑脱等并发症。应当是()

A.后纵韧带骨化症

B.化脓性脊柱炎

C.强直性脊柱炎

D.脊柱退行性骨关节病

E.脊柱结核

题型:单项选择题

填倒凹的部位不包括()

A.靠近缺隙的基牙、邻缺隙牙邻面的倒凹

B.妨碍义齿就位的软组织倒凹

C.基托覆盖区内所有余留牙腭侧的倒凹

D.骨尖处、硬区和未愈合的创口处

E.基牙唇颊侧卡环固位臂以下的倒凹

题型:单项选择题

在透明塑料袋中滴入几滴酒精,排尽袋中空气后把口扎紧,先将其放入90℃的热水中,过一会儿,看到塑料袋鼓起;先将塑料袋从热水中拿出一会儿后,下列分析正确的是(  )

A.塑料袋仍然鼓起,其中的酒精液化了

B.塑料袋仍然鼓起,其中的酒精汽化了

C.塑料袋又瘪了,其中的酒精汽化了

D.塑料袋又瘪了,其中的酒精液化了

题型:单项选择题

如果—个工程含有多个窗体及标准模块,则以下叙述中错误的是 ______。

A.如果工程中含有SubMain过程,则程序一定首先执行该过程

B.不能把标准模块设置为启动模块

C.用Hide方法只是隐藏一个窗体,不自纵内存中清除该窗体

D.任何时该最多只有—个窗体是活动窗体

题型:单项选择题

下列各项,不属于小儿添加辅食原则的是()

A.由少到多

B.由稠到稀

C.由稀到稠

D.由细到粗

E.品种渐增

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