在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相 发布时间:2020-01-16 14:23 │ 来源:www.tikuol.com 题型:单项选择题 问题: 在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的()而成为相邻电子元件的绝缘体A.栅氧化层B.沟槽C.势垒D.场氧化层
题型:单项选择题 椎间盘及韧带病变,好发部位为第3~5颈椎、第4~7胸椎。主要表现为与后纵韧带走行一致的紧贴椎体后缘的带状骨化影,可以连续,也可以呈节段状,厚度可达1~5mm,可合并椎间盘病变和椎体滑脱等并发症。应当是()A.后纵韧带骨化症B.化脓性脊柱炎C.强直性脊柱炎D.脊柱退行性骨关节病E.脊柱结核 查看答案
题型:单项选择题 填倒凹的部位不包括()A.靠近缺隙的基牙、邻缺隙牙邻面的倒凹B.妨碍义齿就位的软组织倒凹C.基托覆盖区内所有余留牙腭侧的倒凹D.骨尖处、硬区和未愈合的创口处E.基牙唇颊侧卡环固位臂以下的倒凹 查看答案
题型:单项选择题 在透明塑料袋中滴入几滴酒精,排尽袋中空气后把口扎紧,先将其放入90℃的热水中,过一会儿,看到塑料袋鼓起;先将塑料袋从热水中拿出一会儿后,下列分析正确的是( )A.塑料袋仍然鼓起,其中的酒精液化了B.塑料袋仍然鼓起,其中的酒精汽化了C.塑料袋又瘪了,其中的酒精汽化了D.塑料袋又瘪了,其中的酒精液化了 查看答案
题型:单项选择题 如果—个工程含有多个窗体及标准模块,则以下叙述中错误的是 ______。A.如果工程中含有SubMain过程,则程序一定首先执行该过程B.不能把标准模块设置为启动模块C.用Hide方法只是隐藏一个窗体,不自纵内存中清除该窗体D.任何时该最多只有—个窗体是活动窗体 查看答案