采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影 发布时间:2019-12-24 04:05 │ 来源:www.tikuol.com 题型:问答题 论述题 问题: 采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?
题型:问答题 论述题 张某,女性,胃脘痞闷3年,经久不愈,时轻时重,喜温喜按,纳呆不欲食,身倦乏力,大便溏薄,舌淡苔薄白,脉弱。此病例治法为()。A.温中健脾,和胃止痛B.益气健脾,升清降浊C.除湿化痰,理气宽中D.温补脾肾E.消食和胃,行气消痞 查看答案
题型:问答题 论述题 如图所示,矩形闭合线圈ABCD在匀强磁场中绕垂直于磁场 方向的转轴OO′以恒定的角速度转动,当线圈平面转到与磁场方向垂直的位置时A.穿过线圈的磁通量最小B.线圈中的感应电流为零C.线圈中的感应电动势最大D.AB边所受的安培力最大 查看答案