采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影

题型:问答题 论述题

问题:

采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀,在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响?随着O2或H2进气量的增加,对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化?为什么?

 

考点:半导体芯片制造工半导体制造技术半导体制造技术题库
题型:问答题 论述题

张某,女性,胃脘痞闷3年,经久不愈,时轻时重,喜温喜按,纳呆不欲食,身倦乏力,大便溏薄,舌淡苔薄白,脉弱。

此病例治法为()。

A.温中健脾,和胃止痛

B.益气健脾,升清降浊

C.除湿化痰,理气宽中

D.温补脾肾

E.消食和胃,行气消痞

题型:问答题 论述题

如图所示,矩形闭合线圈ABCD在匀强磁场中绕垂直于磁场 方向的转轴OO′以恒定的角速度转动,当线圈平面转到与磁场方向垂直的位置时

A.穿过线圈的磁通量最小

B.线圈中的感应电流为零

C.线圈中的感应电动势最大

D.AB边所受的安培力最大

题型:问答题 论述题

15. 补写出下列名篇名句中的空缺部分。(5分)

(5)尽吾志也而不能至者,可以无悔矣,______________?(王安石《游褒禅山记》)

题型:问答题 论述题

与A型行为关系最密切的疾病是(  )

A.溃疡病

B.风心病

C.冠心病

D.癌症

E.神经症

题型:问答题 论述题

高处作业人员必须按规定穿戴合格的防护用品,禁止()、穿拖鞋、或硬底鞋作业。使用安全带时,必须系挂在()的牢靠处。

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