耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。A、UGS>UT B、U 发布时间:2018-09-15 23:16 │ 来源:www.tikuol.com 题型:单项选择题 问题: 耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道,在()时,即可形成ID。A、UGS>UTB、UGS<UTC、UGS=0D、UGS<UP