下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A.内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场
题型：单项选择题
问题：
下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）
A.内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大
B.缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比
C.表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降
D.有缺陷的试件，才会产生漏磁场
题型：单项选择题
图为南亚某城市主要功能区分布示意图，读图完成题。
小题1:图中甲、乙、丙对应的功能区正确的是
A．甲—商业区乙—工业区丙—住宅区
B．甲—住宅区乙—工业区丙—商业区
C．甲—商业区乙—住宅区丙—工业区
D．甲—工业区乙—商业区丙—住宅区小题2:关于该城市规划及原因的说法正确的是
A．①处适宜规划建设高级住宅区——地价较低
B．②处适宜规划建设化工厂——交通便利
C．③处适宜规划建设绿化带——减少污染
D．④处适宜规化建设食品加工厂——靠近水源