金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是 A.低于体瓷烧结愠度6~8℃ B.高于体瓷烧结温
题型:单项选择题
问题:
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结愠度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面
金属基底冠须顺同一方向打磨的目的是
A.低于体瓷烧结愠度6~8℃
B.高于体瓷烧结温度10℃
C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间
D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡
E.防止磨料成分污染金属表面