电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 发布时间:2017-07-07 09:37 │ 来源:www.tikuol.com 题型:判断题 问题: 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
题型:判断题 患者,女性,32岁。因“发热、咳嗽4天,呼吸费力2天”住院。查体:神志淡漠,血压80/50mmHg(升压药物维持下),心率126次/分,双肺未闻及干、湿性啰音,腹软,无压痛、反跳痛,留置导尿量少,色黄。血白细胞24×109/L,中性粒细胞94%,血肌酐213μmol/L。经治疗后患者出现腹泻、腹胀等胃肠功能紊乱症状。下述与患者胃肠功能恶化无关的因素是()A.抗生素使用B.低血压C.电解质紊乱D.进食E.大量补液 查看答案
题型:判断题 患者男,50岁。“胃痛”史15年。近来消瘦、乏力,持续性呕吐宿食,胃痛规律改变,伴有腰背痛。其入院时,可能存在的水、电解质、酸碱平衡失调是()A.等渗性脱水B.高渗性脱水C.低氯高钾性酸中毒D.低氯低钾性碱中毒E.低渗性脱水 查看答案