某LC振荡电路的固有周期为T0,如果保持线圈的自感系数L不变,将可电容器的电容C

题型:选择题

问题:

某LC振荡电路的固有周期为T0,如果保持线圈的自感系数L不变,将可电容器的电容C减小到原来的,则振荡电路的周期将变为          (  ).

A.

B.

C.2T0

D.6T0

考点:电磁振荡的产生
题型:选择题

阅读下列函数说明和C代码,将应填入 (n) 处的字句写在对应栏内。

[说明]

函数int Toplogical(LinkedWDigraph G)的功能是对图G中的顶点进行拓扑排序,并返回关键路径的长度。其中图G表示一个具有n个顶点的AOE网,图中顶点从1~n依次编号,图G的存储结构采用邻接表表示,其数据类型定义如下:

typedef struct Gnode /*邻接表的表结点类型*/

int adjvex; /*邻接顶点编号*/

int weight; /*弧上的权值*/

struct Gnode*nextarc;/*指示下一个弧的结点*/

Gnode;

typedef struct Adj list /*邻接表的头结点类型*/

char vdata; /*顶点的数据信息*/

struct Gnode *Firstadj;/*指向邻接表的第一个表结点*/

Adjulist;

typedef struct LinkedWDigraph/*图的类型*/

int n,e; /*图中顶点个数和边数*/

struct Adjlist *head; /*指向图中第一个顶点的邻接表的头结点*/

LinkedWDigraph;

例如,某AOE网如图21-1所示,其邻接表存储结构如图21-2所示。

[本题函数]

int Toplogical(LinkedWDigraph G)

Gnode *p;

int j,W,top=0;

int *Stack,*ve,*indegree;

ve=(int *)malloc((G.n+1) *sizeof(int));

indegree=(int*)maZZoc((G.n+1)*sizeof(int));/*存储网中各顶点的入度*/

Stack=(int*)malloc((G.n+1)*sizeof(int));/*存储入度为0的顶点的编号*/

if(!ve||!indegree||!Stack)exit(0);

for(j=1;j<=G.n;j++)

ve[j]=0;indegree[j]=0;

/*for*/

for(j=1;j<=G.n;j++) /*求网中各顶点的入度*/

p=G.head[j].Firstadj;

while(p)

(1) ;p=p->nextarc;

/*while*/

/*for*/

for(j=1;j<=G.n;j++) /*求网中入度为0的顶点并保存其编号*/

if(!indegree[j]) stack[++top]=j;

while(top>0)

w= (2)

printf("%c ",G.head[w].vdata);

p=G.head[w].Firstadj;

while(p)

(3)

if(!indegree[p->adjvex])

Stack[++top]=p->adjvex;

if( (4) )

ve[p->adjvex]=ve[w]+p->weight;

p=p->nextarc;

/*while*/

/*while*/

return (5)

/*Toplogical*/

(1)处填()。

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根据不同的生产日期从产品批中抽样,目的是为了()。

A、节省抽样成本

B、提高样本代表性

C、使抽样更简便

D、减少检验量

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